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用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Cu团簇（Cux,x=1-4）在CeO2（111）表面的吸附.研究发现当团簇比较小时（x=2,3）,倾向于平铺表面;当x=4时,Cu团簇在CeO2（111）表面以三维的四面体结构吸附较为稳定,从Cu 3d到Ce 4f的电荷转移使Cu团簇带正电荷.由二维的菱形结构到三维的四面体结构的转变势垒为1.05 eV,并且其中一个Cu原子直接迁移到另外三个Cu原子的空位顶部的转变路径比较有利.在Cu团簇与CeO2的相互作用过程中,Cu-O和Cu-Cu相互作用的竞争最终决定了Cu