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对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温（80～4.2K）下硅的红外吸收谱中1127cm-1处的吸收是硅中氧的吸收峰.
硅中氧的FTIR研究
【摘 要】
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对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温（80～4.2K）下硅的红外吸收谱中1127cm-1处的吸收是硅中氧的吸收峰.
【机 构】
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复旦大学物理系,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,同济大学物理系,上海无线电十七厂
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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1992年04期
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