【摘 要】
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介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3 μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2.5 μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室
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介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3 μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2.5 μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2.5 ～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1.7 μm的高In组分InGaAs光电探测器等,这些器件结构均采用GSMBE方法生长,其中2.5 μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用,2.9 μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射,含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2.6 μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小,此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制.
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