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报道了分子束外延锗基中波碲镉汞薄膜材料以及320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究的初步结果。利用分子束外延技术基于3英寸锗衬底生长的中波碲镉汞薄膜材料,平均宏观缺陷密度低于200 cm^-2,平均半峰宽优于90 arcsec,平均腐蚀坑密度低于2.9×10^6 cm^-2;采用标准的二代平面工艺制备的320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器,平均峰值探测率达到3.8×1011 cm·Hz1/2W^-1,平均等效噪音温差优于17.3 mK,非均