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在有效质量近似下，通过自洽计算求解薛定谔方程和泊松方程，得到了温度不为零时Si δ掺杂的GaAs量子阱系统的电子态结构。研究了温度和掺杂浓度对系统子带能量、费米能级、电子密度分布和子带间光学吸收系数的影响。发现在一定的掺杂浓度下，费米能级会随着温度的升高而降低，子带间入射光总的吸收系数随温度升高而降低；在温度一定时，费米能级和子带能级随掺杂浓度的增大而增大，子带间入射光总吸收系数随掺杂浓度增大而增大。