【摘 要】
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德州仪器(TI)的技术主管宣布,采用毫秒退火技术获得了结工程的重大进展,这在TI45nm晶体管技术中扮演了重要角色,目前正在向后半年实现量产的目标迈进。该公司负责先进CMOS开
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德州仪器(TI)的技术主管宣布,采用毫秒退火技术获得了结工程的重大进展,这在TI45nm晶体管技术中扮演了重要角色,目前正在向后半年实现量产的目标迈进。该公司负责先进CMOS开发的副总裁Ben McKee说,45nm节点最大的挑战是将氮氧化硅(SiON)栅极介电层微缩到几个埃并缩短栅长,与此
Technology executives at Texas Instruments (TI) announced significant advances in junction engineering with millisecond annealing, which has played an important role in TI’s 45nm transistor technology and is now moving to mass production in the next six months. Ben McKee, the company’s vice president of advanced CMOS development, said the biggest challenge for the 45nm node is to shrink the silicon oxynitride (SiON) gate dielectric to a few Angstroms and shorten the gate length,
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