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对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、 p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过工艺参数的优化,使薄膜间的选择比在2～20可选择;并通过气体掺杂,实现了SiNx对p-Si的选择比从-1到2的反转.
多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀
【摘 要】
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对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、 p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过工艺参数的优化,使薄膜间的选择比在2～20可选
【机 构】
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北方液晶工程研究开发中心,长春光学精密机械学院,中国科学院,北方液晶工程研究开发中心
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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2002年1期
【基金项目】
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中国科学院资助项目，国家自然科学基金，吉林省科技厅科技攻关项目，吉林省科技发展计划
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