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提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷(SBOC)SOI新型高压器件，并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型，对阶梯数n从∞时的器件击穿特性进行了研究，结果表明，该结构突破常规SOI结构纵向耐压极限，使埋氧层电场从常规75V／μm提高到500V／μm以上；同时得到均匀的表面电场分布，缓解了器件尺寸和击穿电压之间的矛盾，因此SBOC结构是一种改善SOI耐压的良好结构。