【摘 要】
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随着器件的特征尺寸越来越小,集成度越来越高,超大规模集成电路(ULSI)中设计的金属导线变细使得金属电阻增大,产生的热量增多,从而产生了严重的电迁移现象,同时由于线间电容
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随着器件的特征尺寸越来越小,集成度越来越高,超大规模集成电路(ULSI)中设计的金属导线变细使得金属电阻增大,产生的热量增多,从而产生了严重的电迁移现象,同时由于线间电容和金属电阻增大引起的延迟(RC Delay)也不断恶化,这些都大大影响了器件的性能。
As device feature sizes become smaller and smaller, and integration becomes higher and higher, thinning of metal leads designed in ULSI leads to increased metal resistance and increased heat generation, resulting in severe electromigration Phenomenon, and the deteriorating RC Delay due to the increase of the line capacitance and the metal resistance greatly affect the performance of the device.
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