【摘 要】
：
采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法，对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明: 随着正应力的逐渐增大，导带向高能方向移动，带隙Eg明显展宽; 随着负应力的逐渐增大，带隙缓慢减小并且始终为直接带隙。光学性质曲线随着负应力的不断减小至正应力的不断增大都向高能方向漂移。
【机 构】
：
中国科学院微电子研究所，北京100029贵州大学理学院，贵州大学新型光电子材料与技术研究所，贵州贵阳550025
论文部分内容阅读
采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法，对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明: 随着正应力的逐渐增大，导带向高能方向移动，带隙Eg明显展宽; 随着负应力的逐渐增大，带隙缓慢减小并且始终为直接带隙。光学性质曲线随着负应力的不断减小至正应力的不断增大都向高能方向漂移。
其他文献
采用不同光斑直径的10.6 μm CO2激光束对熔石英表面损伤进行辐照处理。实验发现，对于50 μm以下的损伤点，单发激光脉冲辐照即可使得激光损伤阈值恢复到基底完好区域的水平，对于在50~300 μm之间的损伤点，采用低功率较长时间辐照后逐渐增加功率修复的方式可以彻底消除材料内部更深的裂痕。对不同尺寸光斑辐照后的应力分布研究表明，激光束尺寸、激光功率和激光作用时间是影响材料体内应力分布的主要因素，相比较而言，激光尺寸对应力分布的影响更为明显。对前后表面损伤分析表明，当辐照区域置于入射面时，辐照带来的微小环
提出一种由两块光折变晶体组成的髙效相位共轭装置。使用这种装置和一个小功率单模半导体激光器,对一个由三个条形阵列组成的大功率半导体激光器进行注入波长锁定。驱动电流在阈值电流的2.25倍以下时,大功率半导体激光器的波长可以被有效地锁定在小功率的单模半导体激光器的波长上,带宽由2 nm压缩到0.034 nm,输出功率髙达1.5 W。
针对面阵凝视器件运用到红外搜索跟踪(IRST)系统中出现的图像拖尾问题, 为解决方位搜索转台变速运动下高质量的IRST系统像移补偿, 提出一种实时视轴跟踪的IRST系统像移补偿控制技术。基于方位搜索转台速率实时感知的振镜高速、高精度控制策略, 实现了对像移的准确补偿。采用高精度M/T测速算法实现了像移的准确计算, 通过对振镜电机建立控制系统模型, 开展了振镜补偿控制算法仿真研究。实验室成像测试结果表明, 在方位搜索转台任意变速运动下, 靶标成像清晰无拖尾, 成像效果与凝视型几无差别。
研制了一台子脉冲序列模式Er∶YAG激光器,获得了每秒80个和100个子脉冲高能量激光输出,开展了不同脉冲宽度的子脉冲对离体牙本质的激光消融实验。实验中使用的是子脉冲序列模式激光器,其重复频率为20 Hz,脉冲包络能量为45 mJ,子脉冲宽度分别为20,30,40,50 μs,在无冷却水雾条件下分别对比了子脉冲宽度对牙本质消融量、牙髓腔温升和坑洞组织形貌的影响。结果表明:在相同的激光脉冲能量下,较窄的子脉冲宽度不仅能够增加消融量,降低牙髓腔温升,从而延长操作时间,而且可以获得更好的消融坑洞组织形貌,牙小管
通过溶胶-凝胶方法对β-NaYF4∶ Eu3 进行了表面SiO2包裹处理, 并将其分散于溶胶中提拉成膜, 制备成发光薄膜。采用XRD、SEM、TEM、FTIR、UVPC、PL等测试手段进行了分析表征。结果表明: NaYF4表面被成功包裹上了一层SiO2, 形成了核壳结构, 并除去了表面油酸等有机物。表面包裹对NaYF4的晶型结构没有产生影响, 但荧光性能略有下降, 形貌趋向于圆形, 这是由于表面SiO2颗粒在形成网络结构的张力和溶剂溶解所致。采用提拉浸渍镀膜后, 发光粒子比较好地分散在薄膜上, 并且具有比
报道实验上观测到用波前扰动法的空间光暗孤子的产生及演化规律。实验测量表明：首先，产生的空间暗孤子的空间轮廓是双曲正割型的函数，这与逆散射理论上的空间暗孤子解是一致的；其次，观测了空间暗光孤子在自散焦介质中的演化过程，实验结果与非线性薛定谔方程计算机数值模拟的结果是一致的。结果表明，空间暗光孤子随着光束传输过程逐渐演化并在演化过程中逐渐形成了多个孤子对；最后，测量了不同细丝宽度、非线性系数与光强下空间暗孤子的产生及演化规律。改变实验参数，将改变空间暗孤子对数，以及同一阶空间暗孤子的横向速度，与逆散射理论预言