【摘 要】
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设计了一个基于SiGe BiCMOS工艺的高速数字频率合成器。该电路在一块芯片上集成了DDS核、分段式电流舵DAC、并/串接口、时钟控制逻辑等模块。芯片采用标准0.35μm SiGeBiCMOS
【机 构】
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模拟集成电路国家级重点实验室,中国电子科技集团公司第二十四研究所,
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设计了一个基于SiGe BiCMOS工艺的高速数字频率合成器。该电路在一块芯片上集成了DDS核、分段式电流舵DAC、并/串接口、时钟控制逻辑等模块。芯片采用标准0.35μm SiGeBiCMOS工艺流片。测试结果表明,DDS能够生成高速、高质量的正弦/余弦捷变波形。
A high speed digital frequency synthesizer based on SiGe BiCMOS process is designed. The circuit integrates a DDS core, a segmented current steering DAC, and serial / serial interface, clock control logic modules on a single chip. The chip uses a standard 0.35μm SiGeBiCMOS process flow chip. The test results show that DDS can generate high-speed, high-quality sine / cosine agile waveforms.
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