【摘 要】
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本文通过实验测定了20MnSi在不同加热速度条件下奥氏体形成温度。实验结果表明,奥氏体形成温度与加热速度近似为直线关：AC3=910-0.7055V。在奥氏体形变过程中,如果奥氏体中的
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本文通过实验测定了20MnSi在不同加热速度条件下奥氏体形成温度。实验结果表明,奥氏体形成温度与加热速度近似为直线关：AC3=910-0.7055V。在奥氏体形变过程中,如果奥氏体中的应变积累大于奥氏体动态再结晶临界应变,则奥氏体将发生动态再结晶。若20MnSi在轧制道次之间发生了静态再结晶,奥氏体静态再结晶晶粒尺寸与再结晶温度T遵循经验公式d（SRX）=a×d0^b×ε~c×exp（-Q/RT）,其中a=3.43,b=-0.4,c=-0.5。
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