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提出了基于二维Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的薄膜ＳＯＩ降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ结构解析物理模型。并在该模型基础上，给出了一种分析薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的方法。利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系，并定量分析了场ＳｉＯ２界面电荷密度对击穿电压和漂移区临界掺杂浓度的影响。首次提出了临界场ＳｉＯ２界面电荷密度的概念，并研究了其与漂移区掺杂浓度