【摘 要】
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用5N In,5N或6N Sb,光谱纯Ni,掺入5N Te 6×1016/cm3和不掺Te的InSb-NiSb共晶复合材料,G=125±5℃/cm,不同凝固速度(R)的试样,测试它们垂直和顺NiSb纤维方向的电导率以
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用5N In,5N或6N Sb,光谱纯Ni,掺入5N Te 6×1016/cm3和不掺Te的InSb-NiSb共晶复合材料,G=125±5℃/cm,不同凝固速度(R)的试样,测试它们垂直和顺NiSb纤维方向的电导率以及垂直纤维方向的霍耳电压,求出霍耳系数RⅡ,载流子浓度n,杂质浓度N和霍耳迁移率μⅡ。不论掺Te与否,导电类型皆为n-型,原料中带入n-型杂质。电导率有方向性,σ11>σ1,掺Te共晶的电导率大于未掺Te者。凝固速度增大时,掺Te共晶的σ,n,N增大不明显,因而μⅡ下
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