一类IC-超富足半群

来源 :兰州理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:q158743153
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研究一类IC-超富足半群.给出这类半群的若干特征,证明IC-超富足半群S为局部型-A半群当且仅当S为D。优化.给出IC-密码超富足半群的一些性质,并得到IC^+-密码超富足半群的一个刻画.
其他文献
提出了一种新型的50- Ω PBG结构微带线,该PBG结构的制作是周期地改变金属导带的宽度,此种PBG结构的阻带宽且深,同时通带的波纹较小,与在金属导带或金属接地板上刻蚀周期性方孔的