N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算

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本文根据化学反应的吉布斯自由及Van Vechten等人的介电理论计算了N在GaP中的溶解度及P在GaN中的溶解度,计算结果表明,N在GaP中有一个相当好的溶解度,在这个溶解度下,GaP1-xNx合金的能带可以发生有意义的变化,我们的计算结果可以很好地说明最近一些作者所作的有关实验报道。
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