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针对辐照条件下应变集成器件及电路的应用越来越多的问题,文中为了分析研究辐照特性对应变集成器件的影响,主要通过计算机模拟仿真（TCAD）的方法验证了漏斗模型的正确性,分别对单轴应变Si纳米NMOSFET器件在不同漏极偏置电压,不同沟道长度以及不同注入位置的单粒子效应进行了分析。通过TCAD模拟仿真了单粒子瞬态电流随着注入位置的电场变化。结果表明：单粒子瞬态电流随着漏极偏置电压的增大而增大,随着沟道长度的减小而增大;不同注入位置下的单粒子效应,此处的漏极瞬态电流大小与对应位置的电场强度成正比关系。该仿真结果为