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基于垂直层叠的半导体结构是多光谱彩色传感器中的新技术，它具有抗色彩失真，高空间分辨率，无需彩色插值和低通滤波器以及更高的光能量利用率等优点。它的基本原理是利用不同波长的光在硅材料中穿透深度的非线性分布，即：短波长的蓝光主要在表面被吸收，长波长的红光则主要在更深的位置被吸收。目前国际上研究的结构中有使用标准晶态硅工艺制作的埋入式多pn结结构和使用PECVD方法制作的非晶硅系象素结构，其中前者利用了标准的硅工艺，而由于后者使用了光学性能更好的非晶硅系材料，在结构设计上具有更大的灵活性。文章在综合了国际研究文献