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根据电子干涉理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子，由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时，量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上，在外电场作用下形成光电流谱的多峰结构。理论计算出的几个光电流峰位置与实验测量的结果符合较好。
多量子阱的电子干涉及引起的光电流特性
【摘 要】
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根据电子干涉理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子，由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时，量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上，在外电场
【机 构】
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山东大学光电材料与器件研究所,中国科学院物理研究所
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2001年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金，山东省自然科学基金
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