论文部分内容阅读
在KF-KCl体系中通过电沉积方法（直流电沉积CCP和周期断开电流电沉积PIC），以K2TiF6和KBF4作为活性物质在石墨基体上制备了高择优取向的TiB2镀层。用X射线衍射（XRD）研究了阴极电流密度对TiB2镀层晶粒尺寸、择优取向、微观应力及晶格常数的影响。结果表明，晶粒尺寸随电流密度增加而变小，这是过电位增加提高了形核速率所致，相对CCP而言，PIC制备的TiB2镀层具有更小的晶粒，这是因为PIC通过增加扩散层内离子的浓度减弱了浓差极化，提高了形核率所致；本实验条件下制备的TiB2镀层择优取向均为（