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本文论述了紫外汞灯Hg敏化PVD SiO2薄膜的原理及方法,讨论了PVD SiO2薄膜的光学特性、结构特性、电学特性、附着力及应力,并分析了薄膜的成份。
紫外汞灯PVD二氧化硅薄膜特性研究
【摘 要】
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本文论述了紫外汞灯Hg敏化PVD SiO2薄膜的原理及方法,讨论了PVD SiO2薄膜的光学特性、结构特性、电学特性、附着力及应力,并分析了薄膜的成份。
【机 构】
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西安电子科技大学物理系,西安电子科技大学物理系,西安电子科技大学物理系,西安电子科技大学物理系
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1990年04期
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