【摘 要】
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以n型高掺杂硅为衬底,二氧化硅（SiO2）作绝缘层,钛/金（Ti/Au）双层膜为源漏电极层,真空蒸发酞菁铜（CuPc）作敏感层,制备了沟道宽长比为4000/25的有机薄膜晶体管气体传感器（OTFTs）,研究了
【机 构】
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电子科技大学大学光电信息学院学院光学工程系
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以n型高掺杂硅为衬底,二氧化硅（SiO2）作绝缘层,钛/金（Ti/Au）双层膜为源漏电极层,真空蒸发酞菁铜（CuPc）作敏感层,制备了沟道宽长比为4000/25的有机薄膜晶体管气体传感器（OTFTs）,研究了CuPc-OTFT气体传感器的基本电学特性及其在常温下对有毒还原型气体（H2S和NH3）的敏感性能。结果表明,基于CuPc的OTFT器件具有良好的电学特性,阈值电压为-8 V,载流子迁移率2.47×10-4cm2/V.s,开关电流比5。基于CuPc薄膜的OTFT气体传感器对不同浓度的H2S和
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