【摘 要】
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提出了一种采用工艺、电压(PV)补偿的输出缓冲器,以减小PV变化对输出信号压摆率的影响.采用非门与四个相同类型MOS管连接,实现全工艺角的探测.PV探测电路的输出电压与对应的
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院,重庆,400065
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提出了一种采用工艺、电压(PV)补偿的输出缓冲器,以减小PV变化对输出信号压摆率的影响.采用非门与四个相同类型MOS管连接,实现全工艺角的探测.PV探测电路的输出电压与对应的偏置电压比较后得到补偿逻辑组合.在电压探测电路中,采用带隙基准电路产生偏置电压,以避免误码补偿.该输出缓冲器采用SMIC 90 nm CMOS工艺进行设计,版图面积为0.018 mm2.仿真结果表明,在全工艺角、20 pF负载的条件下,最高传输频率为650 MHz/500 MHz.相比于电路补偿前,VDDIO为1.2V时,输出信号上升、下降压摆率差值分别减小了30.1％、31.8％;VDDIO为2.5V时,输出信号上升、下降压摆率差值分别减小了27.6％、29.3％.
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