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双面抛光单晶硅片少子扩散长度的测量

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jia343212539

【摘 要】

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本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法,采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响;应用阻尼最小二乘法数据处理原理对实验数据进行“曲线拟合”,求

【作 者】

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杨恒青 张焕林 顾春林 

【机 构】

：

复旦大学材料系

【出 处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1992年01期

【关键词】

：

硅片 表面光电压法 少子扩散长度 

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本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法,采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响;应用阻尼最小二乘法数据处理原理对实验数据进行“曲线拟合”,求出少子扩散长度和背面表面复合速度。本文讨论了该方法的测量范围。

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