Bi_3.75Ce_0.25Ti_3O_12电致阻变薄膜的制备及其性能研究

来源 :兵器材料科学与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sun_merry

【摘要】

：

采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/Si衬底上制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜，研究退火温度对Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜结构和介电、阻变特性的影响，分析了薄膜在低阻态和高阻态时

【作者】

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孙丙成王华许积文杨玲

【机构】

：

广西信息材料重点实验室桂林电子科技大学材料科学与工程学院

【出处】

：

兵器材料科学与工程

【发表日期】

：

2013年4期

【关键词】

：

Bi3 75Ce0 25薄膜溶胶-凝胶阻变性能介电性能 Bi3.75Ce0.25 thin film sol-gel resistance switch

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采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/Si衬底上制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜，研究退火温度对Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜结构和介电、阻变特性的影响，分析了薄膜在低阻态和高阻态时的电流传导机理。结果表明，所制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构，不同退火温度Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的低、高阻态电流比ILRS/IHRS在104-106，在600℃时有2.5 V的最低Vset电压。无论是高阻态还是低阻态，Bi3.75Ce0.25Ti

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