【摘 要】
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采用真空沉积方法在不同基片温度（30190℃）和沉积压力(1×10-4和1×10-1 Pa)下制得了C60薄膜。研究了薄膜的结晶性和晶粒尺寸对迁移率的影响。采用X射线衍射和原子力显微镜表征
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.61504062);江苏省自然科学基金(No.BK20150863);南京邮电大学引进人才基金(No.NY214183)资助项目
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采用真空沉积方法在不同基片温度（30190℃）和沉积压力(1×10-4和1×10-1 Pa)下制得了C60薄膜。研究了薄膜的结晶性和晶粒尺寸对迁移率的影响。采用X射线衍射和原子力显微镜表征了薄膜的结构和形貌,发现提高基片温度,薄膜的结晶性和晶粒尺寸均提高;提高沉积压力,薄膜的晶粒尺寸增大而结晶性不变。场效应测试结果表明,C60薄膜的迁移率与其结晶性密切相关,高的结晶性有利于获得高迁移率;不同于平面有机半导体材料,对于球状C60半导体材料,大的晶粒尺寸可能导致低迁移率。
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