硅基3C-SiC的热氧化机理

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shmilyuho

【摘要】

：

采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技

【作者】

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赵永梅孙国胜刘兴昉李家业赵万顺王雷罗木昌李晋闽

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年z1期

【关键词】

：

3C-SIC 热氧化 XPS 氧化机理

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采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.

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