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设计了一种自偏置、共源共栅（cascode）结构的CMOS和式带隙基准电流源电路。用Chart 0．35μm5V电压CMOS工艺参数进行了Hspice仿真，结果表明，在一40-85℃温度范围内温度系数为15．2×10^-6／℃，电源电压抑制比为-51．8dB．
一种改进的内置和式基准电流源的设计
【摘 要】
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设计了一种自偏置、共源共栅（cascode）结构的CMOS和式带隙基准电流源电路。用Chart 0．35μm5V电压CMOS工艺参数进行了Hspice仿真，结果表明，在一40-85℃温度范围内温度系数为15．2
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
【出 处】
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应用科学学报
【发表日期】
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2006年1期
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