采用功率MOSFET管设计纳秒高电压脉冲产生器

来源 :中国工程物理研究院科技年报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shohoku23
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功率MOS管有能力产生高速纳秒或亚纳秒脉冲,商用装置的速度主要受以下几个固有限制:导线感应系数、栅极、源极、漏极阻抗和驱动节电容,这些因素导致装置的开关转换速度最快约500ps。在功率模块MOSFET电路设计中,其综合性能主要受限于栅极和源极之间的最大安全电压即关断电压,这也是通过功率模块MOSFET达到电压累积目的所必须考虑的。
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