【摘 要】
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日本松下公司在栅注入晶体管结构中嵌入混合漏极,对常关态氮化镓晶体管的电流崩塌进行抑制达800V。混合漏极由一个普通漏极和一个附加的p型漏极组成,p型漏极通过在铝镓氮势垒
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日本松下公司在栅注入晶体管结构中嵌入混合漏极,对常关态氮化镓晶体管的电流崩塌进行抑制达800V。混合漏极由一个普通漏极和一个附加的p型漏极组成,p型漏极通过在铝镓氮势垒层沉积p型氮化镓形成。两个漏极区域连接。研究人员认为其应用包括下一代高效率可靠高功率开关。氮化镓晶体管中的电流崩塌描述为与直流测试相比,当器件处于转换状态
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