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本文阐述了引起MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的几种主要因素,介绍国外对p沟MOS晶体管所做的加速试验的结果。对国产MOS晶体管的阈值电压进行了BT试验。同一类型的管子在不同应力下观察到类似的现象。作图表示阈值电压漂移的平均值随应力时间的变化,从而确定漂移机构。
国产MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的初步探讨
【摘 要】
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本文阐述了引起MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的几种主要因素,介绍国外对p沟MOS晶体管所做的加速试验的结果。对国产MOS晶体管的阈值电压进行了BT试验。同一类型的管子在
【出 处】
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华东师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1980年1期
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