【摘 要】
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利用电子束蒸发镀膜方法在PAMM上制备了金属铟薄膜,通过方块电阻测量和原子力显微镜(AFM)表面形貌的分析,结果表明:铟薄膜的电阻值随着薄膜生长厚度增加而减小;薄膜生长初始
【机 构】
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哈尔滨商业大学包装科学与工程技术实验室 哈尔滨 150028深圳市天星达真空镀膜设备有限公司 深圳 518116;
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利用电子束蒸发镀膜方法在PAMM上制备了金属铟薄膜,通过方块电阻测量和原子力显微镜(AFM)表面形貌的分析,结果表明:铟薄膜的电阻值随着薄膜生长厚度增加而减小;薄膜生长初始阶段基体表面形成了岛状不连续膜,表面粗糙度随膜厚增加而增加,此时薄膜不导电;当膜层厚度生长到120 nm时,薄膜形成了下层连续上层为小孔洞的结构,表面粗糙度在此厚度附近降低较明显;随着薄膜继续生长,薄膜表面无论是水平方向还是垂直方向,岛与岛相连形成十分光滑的膜层,此时薄膜电阻迅速降低到3Ω,薄膜导通.
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