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由于具有更为显著的量子隧穿效应，碳纳米管场效应管具有较硅基MOS管不同的尺寸缩小特性，同时，由于工作机理的不同，类MOS碳纳米管场效应管（C-CNFETs：Conventional MOS-llke Carbon Nanotube Field Effect Transistors）的尺寸缩小特性与隧穿碳纳米管场效应管（T_cNⅡTs）也不尽相同。器件尺寸缩小特性研究是研究其应用前景的重要方式，而之前对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的研究并没考虑带间隧穿对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的影响。采用非平衡格林函数