有限温度下介观电容耦合电路中的量子涨落

来源 :哈尔滨工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yinyuewn

【摘要】

：

为提高信号的稳定性和保真度,对电路中的量子涨落进行了研究.利用热场动力学(TFD)方法计算了有限温度下介观电容耦合电路中的量子涨落.在零温情况下,电容耦合电路的本征态是

【作者】

：

梁麦林袁兵

【机构】

：

天津大学应用物理系

【出处】

：

哈尔滨工业大学学报

【发表日期】

：

2002年6期

【关键词】

：

有限温度电容耦合电路量子涨落温度效应热场动力学介观电路量子电子学 Capacitors Electric charge Electric curre

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为提高信号的稳定性和保真度,对电路中的量子涨落进行了研究.利用热场动力学(TFD)方法计算了有限温度下介观电容耦合电路中的量子涨落.在零温情况下,电容耦合电路的本征态是平移Fock态.有限温度时,这些态成为热平移Fock态.计算结果表明,对于以往未加注意的电路耦合部分,电容耦合使电荷的量子涨落减小,电流的量子涨落增加.

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