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研究一定含量Mg2+离子条件下不同温度对碳硫硅酸钙型硫酸盐侵蚀的影响。直接合成碳硫硅钙石的过程中引入Mg2+离子,放置合成样于5、20℃度环境条件下,利用XRD、SEM、FTIR的分析方法,分别于3、6个月取样观察碳硫硅钙石生成量。结果表明:在同样掺量Mg2+条件下,5℃比20℃更易产生碳硫硅酸钙型硫酸盐侵蚀。