印刷碳纳米管薄膜场发射失效行为研究

来源 :真空电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaoemoshou123abc
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对基于印刷碳纳米管(CNT)薄膜的场发射器件的失效行为进行了研究。微观分析结果表明,器件失效主要是由真空击穿对CNT和导电衬底造成损坏所引起的。印刷CNT薄膜中存在的CNT团聚颗粒所造成的正反馈的发热和电流增加导致了真空击穿的发生。通过在真空室中对印刷CNT薄膜进行场发射条件下的老炼处理,有效地预防了真空击穿的发生,并使薄膜的场发射均匀性得到提高,证实了真空老炼对预防真空击穿和提高器件工作可靠性的作用。
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