采用固体物理理论和方法,研究了单层石墨烯的量子电容和它的温度稳定性随温度和电压的变化规律,探讨原子非简谐振动对它的影响.结果表明:(1)当电压一定时,单层石墨烯的量子电容和温度稳定性系数均随温度升高发生非线性变化,电压小于2.3 V时,量子电容随温度升高而增大,温度稳定性系数随温度升高由缓慢变化到很快增大,电压高于2.3 V时,量子电容随温度升高先增大后减小,而其温度稳定性系数随温度升高由缓慢变化到很快减小.温度一定时,量子电容只在电压值为0.4~2.8 V范围内才变化较小,而电压值大于2.8 V时,量子
本研究采用富集培养技术自莠去津污染的活性污泥中分离筛选到一株具有降解三嗪类除草剂功能的菌株SB5,经形态学和16S rRNA基因分析将其初步鉴定为类节杆菌属细菌.其具有已知莠去津降解相关基因trzN、atzB及atzC.在培养基中添加葡萄糖、蔗糖、柠檬酸钠、酵母浸粉和蛋白胨可显著提高菌株SB5的生物量和对莠去津的降解效率;外加(NH4) 2SO4和NH4C1对该菌生物量起到抑制作用,但不影响其对莠去津的降解效率;外加淀粉对菌株的生物量影响不显著,但会影响其对莠去津的降解.菌株SB5在4~42℃、4~10初
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了碳化钨负载的铜-金合金单层催化剂对氧气吸附和解离性质的影响.通过比较碳化钨负载的纯金单层与铜掺杂的合金单层的电荷布局,发现掺杂铜可以创造新的活性位点,改变氧气的吸附构型,改善氧气的吸附和解离性质.进一步探究了氧气在Cu1 Au8/WC(0001),Cu2Au7/WC(0001)上的解离过程,发现:氧气在Cu2Au7/WC(0001)上解离势垒仅为0.64 eV,远低于在纯金单层上的1.56 eV,表明铜掺杂有效促进了氧气的解离.铜掺杂后的单层结构变化预示了在单层产
稻田是温室气体甲烷的重要排放源之一,对全球气候变化具有重要影响.由隶属于NC10门的Candidatus Methylomirabilis oxyfera(M.oxyfera)-like细菌介导的亚硝酸盐型甲烷厌氧氧化是控制稻田甲烷排放的新途径.目前,有关此类微生物群落在稻田土壤中的时空分布特征及其环境影响因素尚不明确.本研究对水稻关键生育期(分蘖期、拔节期、扬花期和乳熟期)不同深度(0~40 cm)稻田土壤中M.oxyfera-like细菌的群落组成、多样性和数量进行分析.高通量测序结果表明,不同深度土
本研究选择三个电子结构类似的稀土倍半氧化物RE2O3(RE=Lu,Y,Sc),建立适当的模型通过第一性原理计算,研究氧空位对体系的电子结构的影响.本研究以密度泛函理论(DFT)为基础,利用PBE泛函加U值修正计算了纯稀土倍半氧化物的能带结构.计算结果表明三种基体材料RE2O3的能带结构相似.在引入氧空位后,其增加的缺陷能级数目不同,依次为:Sc2O3
三氯甲烷是挥发性卤代烃,可通过皮肤接触、呼吸或饮水进入人体,危害人体健康,其物理性质的进一步研究对于保护环境与人体健康十分重要.本文采用DFT(密度泛函理论)计算方法,在B3PW91/6-311G+(2d,p)基组水平下对三氯甲烷分子进行优化,从分子结构角度研究了不同外电场作用下,三氯甲烷分子的总能量,键长,电偶极矩,解离势能面,隧穿电离和红外光谱.计算结果表明,随着外加电场的增大,分子键长逐渐增长,偶极矩也随之增加,然而分子的总能量却逐渐减小.分子的最低空轨道能量与最高占据轨道能量之间的能隙也随着外加电
双电解液锂空气电池因其高理论能量密度受到广泛研究,但电池正极侧氧还原反应(ORR)速率低,其反应速率是限制锂空气电池发展的主要因素之一.本文提出了以钌(Ru)掺杂单层石墨烯作为正极ORR催化剂,采用第一性原理计算nRu(n=1~3)掺杂石墨烯的电子结构和氧气在Ru掺杂石墨烯表面的吸附性能,并以过渡态搜索方法获得ORR反应路径,研究碱性溶液中Ru掺杂单层石墨烯作用下的ORR机理.研究结果表明,经Ru原子掺杂后,石墨烯能够获得稳定的掺杂结构,且电导率显著提升.同原始单层石墨烯相比,Ru掺杂石墨烯增强了对O2的
近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga2O3受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-Ga2O3薄膜制备方法之一,而磁控溅射法制膜往往需要进行退火处理以提高薄膜质量.本文研究溅射功率对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga2O3薄膜特性的影响.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明,随着溅射功率的增大,半峰宽呈现先增大后减小再增大的趋势,晶粒尺寸变化与之相反.此外,通过积分球式分光光度计,研究了溅射功率对β-
采用基于密度泛函理论的第一性原理分析方法的CASTEP软件,计算了Ni、C单掺杂和共掺杂SnO2的晶格参数、能带结构、电子态密度和布局,结果表明:单掺杂和共掺杂均使得晶胞体积略微增大,禁带减小,且仍属于直接带隙半导体,在价带顶和导带底产生杂质能级,其中Ni-C共掺杂时禁带最小,杂质能级最多,电子跃迁需要的能量更小,导电性也就最好.共掺杂时费米能级附近的峰值有所减小,局域性降低,原子间的成键结合力更强,使得SnO2材料也更加稳定.
Cedrane sesquiterpenes possess common tricyclo[5.3.1.01,5]undecane core structure.The varied oxa-five-membered ring decorating their core structure to form 8-oxa-tetracyclo[7.2.2.01,5.06,13]tridecane framework,containing six consecutive chiral centers (in