定向硅纳米线阵列的场发射性质的研究及改进

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhu_2009

【摘要】

：

本文测量了垂直基底方向生长的硅纳米线阵列的场发射性质,并研究了引入金对其场发射性质的影响.引入金后,硅纳米线阵列在10 μA/cm2时的开启电场从4.7 V/μm降到了2.3 V/μm,

【作者】

：

刘明盛雷梅葛帅平范守善

【机构】

：

清华-富士康纳米科技研究中心

【出处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

硅纳米线阵列场发射金硅合金 Silicon nanowire army Field emission Au-Si Alloy

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本文测量了垂直基底方向生长的硅纳米线阵列的场发射性质,并研究了引入金对其场发射性质的影响.引入金后,硅纳米线阵列在10 μA/cm2时的开启电场从4.7 V/μm降到了2.3 V/μm,并且根据Fowler-Nordheim曲线斜率的变化,估算出纳米线阵列的功函数从3.6 eV降到了2.2 eV.

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