【摘 要】
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SnO2在常温下禁带宽度为3.6eV,是一种N型半导体,其结构可控、可调,在光催化领域具有良好的应用前景,逐渐成为国内外研究的热点。分析了SnO2晶体结构及其掺杂、复合等改性方法
【基金项目】
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国家自然科学基金(21566014和21366014)
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SnO2在常温下禁带宽度为3.6eV,是一种N型半导体,其结构可控、可调,在光催化领域具有良好的应用前景,逐渐成为国内外研究的热点。分析了SnO2晶体结构及其掺杂、复合等改性方法,概述了SnO2及其改性材料在光催化制氢和光催化降解有机污染物领域的研究进展,阐明了诸多改性方法对促进SnO2光催化性能的主要原因是提高光生电子和空穴的分离效率,并指出SnO2基光催化材料目前存在的问题,对未来的研究方向做出了展望。
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