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基于C2M系列SPICE模型，对碳化硅（sic）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）静动态特性进行分析。结果表明该模型在工作结温较低时，与数据手册提供的静态特性曲线较吻合，但工作结温较高时对SiCMOSFET静态特性模拟效果较差，于是在该模型基础上增加一个温控电压源，以补偿工作结温上升带来的影响。之后，通过双脉冲测试，对比分析该模型对SiCMOSFET动态特性的模拟效果。经过上述静、动特性的分析．发现该模型可较为准确地反映低结温时器件的真实工作特性，增加温控电压源后也适用于高结温工作状态。