【摘 要】
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AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性，利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料．利用MOCVD技术生长获得了AlInGaN／GaN异质结构，通过汞探针C—V测量和Ha
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AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性，利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料．利用MOCVD技术生长获得了AlInGaN／GaN异质结构，通过汞探针C—V测量和Hall效应测量，发现其电学特性明显优于常规AlGaN／GaN异质结构，通过XDR和AFM分析，发现其势垒层结晶质量十分出色，但表面形貌与常规异质结构相比还存在一定差距．
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