论文部分内容阅读
以特殊脉冲电沉积方法制备CuInSe2（CIS）前驱体薄膜,通过真空蒸镀法在CIS薄膜上沉积Al膜,经硒化退火后在氧化铟锡（ITO）基底上制备了Cu（InAl）Se2（CIAS）薄膜.采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线能谱（EDS）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）对其形貌、结构、成分及光学吸收性质进行了表征.结果表明,制备的CIAS薄膜颗粒均匀,表面平整致密,呈黄铜矿结构.薄膜在可见光区具有良好的吸收,带隙约为1.65 eV.