【摘 要】
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针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析.以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后仿真,后仿真结果表明,利用背偏技术的22 nm
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京100029中国科学院大学, 北京100049;上海复旦微电子集团股份有限公司,上海,200433;
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针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析.以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后仿真,后仿真结果表明,利用背偏技术的22 nm FDSOI环阵的输出频率可在57.8～206 MHz的范围内进行调节,相应的工作电流变化范围为24.4～90.4μA;而利用体偏技术的28 nm体硅环阵的输出频率调节范围则为92.8～127 MHz,对应的工作电流变化范围为67.8～129μA.对22 nm FDSOI工艺的环阵进行了实测,实测结果与仿真结果一致.分析认为,在功耗和性能2个方面,22 nm FDSOI电路的背偏调节能力优于28 nm体硅电路的体偏调节能力.
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