【摘 要】
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提出预测刷新策略来延长与非型(NAND)闪存寿命。预测刷新的核心是挖掘闪存中块的最大刷新周期,然后使用该周期刷新块来减少驻留错误,保证块中页的错误数(FBC)在错误纠正码(EC
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;
【基金项目】
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国际合作项目:TB时代通过在应用场景中进行数据挖掘方法来终身跟踪存储器质量
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提出预测刷新策略来延长与非型(NAND)闪存寿命。预测刷新的核心是挖掘闪存中块的最大刷新周期,然后使用该周期刷新块来减少驻留错误,保证块中页的错误数(FBC)在错误纠正码(ECC)的纠错能力范围内。预测刷新利用驻留错误与驻留时间近似线性的关系和使FBC逐渐逼近刷新区间的思路,根据前两次的实测数据预测下一次的检测时间,能准确、简单地获得块的最大刷新周期,且不受单元工艺波动影响。在软硬件结合的现场可编程门阵列(FPGA)测试平台下对多值存储(MLC)NAND闪存进行测试,结果表明:预测刷新策略相比于不刷新策略最大能延长NAND闪存7倍的寿命;相比于周期刷新策略最大能减小74%的系统干扰;并且刷新周期检测准确度高。
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