【摘 要】
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本文是在平行电子束的条件下采用单偏转摇摆聚焦方法去获得高角分辨率的选区电子通道花样，选区尺寸为５μｍ。对具有面织构的试样表面上１００个晶粒用上述ＳＡＣＰ技术进行了逐点位向分析。然后
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本文是在平行电子束的条件下采用单偏转摇摆聚焦方法去获得高角分辨率的选区电子通道花样，选区尺寸为５μｍ。对具有面织构的试样表面上１００个晶粒用上述ＳＡＣＰ技术进行了逐点位向分析。然后，根据分析结果，对热处理后新织构的形成机制进行了讨论，表明选区电子通道花样技术是研究表面织构形成机制的一种直观而有效的方法。
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