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采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势（PWP）方法，结合广义梯度近似（GGA）计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质，包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等．计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布，介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强，吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象；这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关．