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Vishay推出新款12VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAKSC．75封装，占位面积为1，6mm×1．6mm。
SiB455EDK：TrenchFET功率MOSFET
【摘 要】
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Vishay推出新款12VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAKSC．75封装，占位面积为1，6mm×1．6mm。
【机 构】
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深圳隽捷公司
【出 处】
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世界电子元器件
【发表日期】
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2010年2期
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