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电流崩塌效应是限制AlGaN／GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素，文中从器件研制的角度研究了AlGaN／GaN HFET的电流崩塌效应。研究结果表明，采用传统的化合物半导体器件细栅工艺制作的器件，栅边缘易发生钻蚀效应，SiN层出现钻蚀区域，器件电流崩塌明显；采用ICP刻蚀SiN后，AlGaN表面产生损伤，电流崩塌效应进一步增强；采用电子束直写方式和SiN钝化，电子未对AlGaN层产生损伤，电流崩塌参量小于20％；采用场板结构，SiN层增加了表面态俘获电子的释放通道，电流崩塌效应得到进一步抑制，减