【摘 要】
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日本SDK公司(Showa Denko k.k.)近日在俄罗斯研制出一种六氟-1,3-丁二烯(C4F6)干蚀刻气体,可对90nm甚至更窄宽度的线路进行干蚀刻(dry etching)。碳氟化合物气体广泛用于二
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日本SDK公司(Showa Denko k.k.)近日在俄罗斯研制出一种六氟-1,3-丁二烯(C4F6)干蚀刻气体,可对90nm甚至更窄宽度的线路进行干蚀刻(dry etching)。碳氟化合物气体广泛用于二氧化硅膜的制造工艺,目前采用八氟环丁烷(C4F8)蚀刻
Showa Denko k.k. has recently developed a dry etching gas for hexafluoro-1,3-butadiene (C4F6) in Russia that allows dry etching of lines of 90 nm or narrower width. Fluorocarbon gases are widely used in the manufacture of silicon dioxide films and currently use octafluorocyclobutane (C4F8) etch
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