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在对传统带隙基准源的误差进行分析的基础上，介绍了一种改进的带隙核结构，该结构能有效抑制电流失配对带隙基准电压带来的影响。根据该结构设计了一种高精度BiCMOS带隙基准源。HSPICE仿真结果表明．该带隙基准源产生1．22V基准电压，在-25℃～＋125℃度范围内具有3．1×10^-6/℃的温度系数。在25℃时和3．6V标准电源电压条件下，电源抑制比达76dB，静态工作电流为6．9肚，在2．7V~6V的电源电压范围内线性调整率为0．142mV/V.